弯道超车：追赶者成为被追赶者
集成度的不断增大，特征尺寸的进一步降低，使得CMP加工精度和难度也进一步增大。“随着极大规模集成电路进入到45纳米节点技术及以下，布线层数达到10层以上，CMP碱性技术将更显示出它的优越特性。”刘玉岭自信地说。
目前，高端设计已进入20纳米和14纳米，芯片集成度达到1010(10的10次方)数量级以上，晶圆尺寸将增大至450毫米(18英寸)。“极大规模集成电路到了45—22纳米节点技术时，机械强度是个必须要迈过的坎儿。”刘玉岭表示，根据现在酸性CMP技术工艺的生产线要求，一般使用的机械强度是2psi(磅/平方英寸)以上，很难达到极大规模集成电路进一步发展的要求。
据介绍，CMP过程中必须要有一定的机械强度，是为了解决铜膜凹凸问题。但到了45—22纳米节点技术时，铜互连结构中包含多孔、易碎的材料，在高机械压力下很容易划伤层膜甚至材料发生崩塌，所以要保证这些介质材料的完整性，抛光压力必须小于等于1psi。“实验显示，我们研发的低压低磨料抛光液，在低压下(设备稳定极限，0.8psi)时，研磨速率、平整度等各项指标，都能达到工业化生产对CMP要求的各项指标。”刘玉岭解释，这恰恰是由于我们打通了以化学作用为主的CMP碱性技术路线，目前国外公司也开始把目光转向刘玉岭团队研发的碱性CMP技术。“我们通过技术创新实现了弯道超车，由原来的追赶者变成了被追赶者。”
